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奇码笔试题目(Physical Design) 一,填空 1,集成电路的分类,按材料,工艺 2,集成电阻的计算,以及其制造工艺 3,Vtp,Vtn的正负判断,分别对于增强型和耗尽型 4,CMOS电路功耗包括哪两个部分,功耗设计主要考虑的因素 ……(还有几道不记得了) 二,填表 全定制,门阵列,FPGA各自单元模块,连线的性质…… 三,填图 CMOS工艺流程填图画图 四,问答 1,CMOS单元负载较大的电容时,只有提高W,这样会使W*L增加,相对前级又时一个大电 容,如何解决这一矛盾? 2,结合软件谈谈全定制集成电路设计流程 3,谈谈对Layout设计的看法 五,翻版图或者画版图,选一 第二卷 1,什么时格雷码? 2,Nyquist采样定例 3,球一米高落下,每次探起一半,求路程和重力做功 4,运算放大器1,…………2,有几级,各级之间耦合方式有几种,分析各种的优劣。
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